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九、DDR3还会远吗?
在DDR2称雄市场一年半之后,新一代的内存技术——DDR3替代DDR2内存的历史进程正式开始。作为DDR(Double Data Rate)类型DRAM内存的第三代产品,DDR3在PC领域几乎没有挑战者,它可以顺利地与Intel P35 Express芯片组主板配合使用。革命性的技术提升,使之与DDR2相比,核心频率大幅提升。
DDR3内存技术要点概述
● 8倍预读取技术的DDR3
DRAM内存技术从DDR占据市场主流开始步入了无法停止的频率提升漩涡,即使是目前已经大大超出桌面处理器对内存带宽的需求,DDR2还是要被频率更高的DDR3所替代。

图二十五:数据预读取技术支撑内存频率攀升
DDR3的可达到的频率上限超过2000MHz,和DDR2一样,它使用预读取技术提升外部频率并降低存储单元运行频率,这次的预读取位数是8bit。数据预读取技术具体实现的方式是用两倍于DDR2 SDRAM内存的数据预取架构来增强存储单元并行运行能力,在提供相同传输速率的同时降低了存储单元的运行频率,和DDR400/DDR2-800内存的200MHz存储单元运行频率相比,DDR3-1066内存的存储单元仅运行在133MHz,由于存储单元的频率很难在往上提升,因此200MHz存储单元运行频率达到了大规模因应用的极限,而DDR3还可以提升存储单元频率来提高DRAM输出频率,最终改善整个内存模组能够提供的带宽,比如现在最新的高性能DDR3 SDRAM规格DDR3-1333,其存储单元的运行频率仅和DDR2-667的200MHz相当,上升空间仍然存在。
● 更多细节改进
点对点连接 —— 这是为了提高系统性能而进行的重要改动,也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中,一个内存控制器只与一个内存通道打交道,而且这个内存通道只能有一个插槽,因此,内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点的关系(单物理Bank的模组),或者是点对双点的关系(双物理Bank的模组),从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。
新增的重置功能 —— 重置是DDR3新增的一项重要功能,并为此专门准备了一个引脚。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时,DDR3内存将停止所有操作,并切换至最少量活动状态,以节约电力。在Reset期间,DDR3内存将关闭内在的大部分功能,所有数据接收与发送器都将关闭,所有内部的程序装置将复位,DLL与时钟电路将停止工作,而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来,将使DDR3达到最节省电力的目的。
逻辑Bank数量 —— DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的设计,目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。新型的DDR3将从2Gb容量起步,因此起始的逻辑Bank就是8个,另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。
高级的刷新控制 —— DDR3支持根据温度自动自刷新及局部自刷新等其它一些功能,联合重置功能和1.5V的低操作电压,DDR3在功耗方面要比DDR2更为出色。
DDR3的其他明显的新增特点还包括ZQ校准、分成两部分的参考电压、突发长度和封装等,以下的表格汇总了这些信息:
就像DDR2从DDR转变而来后延迟增加一样,DDR的总体延迟比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在3~5之间,而DDR3则在6~10之间,且附加延迟(AL)的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0~4,而DDR3时AL有三种选项,分别是0、CL-1和CL-2。同时DDR3写入延迟(CWD)的部分也较DDR2劣化,具体状况在上表中有详细对比。
DDR3随着INTEL最新的芯片组的发布已经来到了我们的眼前,诸多的内存厂家已经开始销售DDR3内存条,ASUS甚至BT的在主板上集成了2G DDR3 1333的内存,海盗船也发布了DDR3 1800的内存条,一切都表明,现在缺少的只是一个时机……
这个时机要等多久我们不得而知,目前DDR2价格如此低廉,低频DDR3与DDR2性能又相差无几,象极了DDR2取代DDR时代,所以,DDR2与DDR3的交替期才刚刚开始。现在缺少的,也许是INTEL强迫厂商升级的力度。当DDR3的成本下降到一定消费者所能接受的程度,INTEL就会发力,这时候AMD如果还存在的话,两大巨头的推动将会使DDR3取代DDR2成为内存主流。
后记:
内存就这么东拼西凑的写完了,越整理资料越发现其实内存远远不是我们表面上看的那么简单,已经超出了我所能驾驭的范围,所以有失误还请大家能够谅解。
最后想说的就是:对于许多人来说,文章的实用意义并不大,他们所关心的就是挑选到适合自己的满意的内存。我的观点就是买DDR2的内存尽量不要买最便宜的HY,其他的有品牌的内存当然首选金士顿,不过在频率、时序等相同的情况下,各种品牌的实际性能只会有误差,而不会有什么大的区别。
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